Память RRAM содержит 9 бит в одной ячейке Специалисты университета Райса разработали память стандарта RRAM, которая способна содержать до девяти бит информации в одной ячейке. Это изобретение несет в себе огромный потенциал, в том числе и возможность существенного увеличения объема накопителей мобильных устройств и твердотельных накопителей при одновременном снижении их себестоимости. RRAM – это резистивная память с произвольным доступом. Ее главная особенность заключается в ультравысокой плотности по сравнению с флеш-памятью, используемой сейчас повсеместно. На текущий момент наладить ее производство не составляет никакого труда – уровень развития современной техники вполне позволяет это. Суть RRAM в том, что между ее металлическими электродами находится пористый диэлектрик из оксида кремния, внутри которого и сформированы ячейки памяти. При этом электроды изготавливаются из золота или платины. Использование оксида кремния положительно влияет на многие характеристики памяти – снижается ее температура во время работы, уменьшается потребление энергии и многое другое. На текущий момент напряжение питания RRAM составляет 2 вольта, и разработчики продолжают работу над его снижением. Данный тип памяти состоит из многоуровневых ячеек, в каждой из которых содержится до девяти ячеек. Это в три раза больше по сравнению с памятью TLC NAND. Это означает, что микросхема памяти квадратной формы со стороной порядка 2 сантиметров сможет вместить примерно 2 терабайта информации. На текущий момент подана патентная заявка на память RRAM, и ее разработчики уже ищут возможности ее коммерциализации. 29.07.2014 http://www.mobiledevice.ru/72001-rram-Memory-nand-Drive-rezistivnaia.aspx
