Разгон памяти

Discussion in '"Железо"' started by FeraS, 14 Oct 2007.

  1. FeraS

    FeraS Elder - Старейшина

    Joined:
    19 Jan 2007
    Messages:
    555
    Likes Received:
    420
    Reputations:
    76
    Сегодня будем говорить о разгоне памяти :)
    О ее скоростных показателях и выборе конкретных модулей.
    Ну и естественно про ее разгон как через BIOS, так и с помощью софтины SysTool.

    Программа SysTool 1.0 build 730:
    -Поддержка функций мониторинга для мат. плат
    -Разгон видеокарт ATI и и nVidia
    -Продвинутые функции управления технологией Intel SpeedStep
    -Контроль Coll & Quiet для процесоров AMD64
    -Управление таймингом памяти
    -Изменения системной шины на мат. платах
    [Скачать]

    [​IMG]
    SysTool позволяет регулировать все существующие параметры системы памяти. В статье рассмотрены лишь самые необходимые.

    Если программы и игры активно используются оперативной памятью в своей работе - разгон поможет им работать быстрее. Если же приложения практически не обращаются к оперативке, они совершенно безразличны к ее разгону.
    Разгонять память можно на всех современных мат. платах. Для обеспечения стабильности разогнанной памяти рекомендуется зайти в БИОС, немножко увеличить питающее напряжение (на 0.2 В) и поменять режим управления Drive Control с Normal на Strong. Это может привести к перегреву, если в корпусе куча проводов и ни одного кулера!

    Запомните, что пиковая производительность достигается, когда частота памяти равна частоте системной шины или хотябы кратная ей. Иначе чипсет будет загонять данные в буфер, что увеличивает латентность подсистемы памяти и снижает пропускную способность. Т.е. разгоняя процессор, не забываем о памяти!
    Помимо тактовой частоты как в БИОС, так и в софтине SysTool (вкладка Memory Timings) нам доступны множество параметров.

    Burst Length
    Длина пакетного цикла чтения. Для достижения наивысшей производительности она должна быть равна 8 (для современных процессоров с 64кб кешем L1).

    CL (CAS Latency)
    Задает кол-во тактов между отправкой DDR-микросхеме команды чтения и сбросом первой порции данных на шину. При сокращении значения на один такт в лучшем случае увеличивает производительность ~10%. В большинстве случаев значение этого параметра 2 или 1.5 такта. Уменьшать до 1.5 не рекомендуется.

    tRCD (RAS to CAS Delay или Active to CMD)
    Величина определяет время открытия DRAM-страницы. Уменьшать величину tRCD категорически не рекомендуется. Логичнее увеличивать этот параметр и одновременно наращивать тактовую частоту.

    tRP (RAS Precharge Delay, Precharge to Active)
    Величина отображает время закрытия DRAM-страницы, в процессе которого происходят возврат данных в банк памяти и его перезарядка. Малое время перезарядки приводит к потере данных и нестабильной работе компа. Рекомендуется выбирать максимальное значение из доступных.

    Command Rate CMD
    Определяет минимальный промежуток времени между двумя соседними командами. Как правило, этот параметр равен 2 или 3. Единица увеличит производительность подсистемы памяти на 25%.

    tWCL, tDQSS
    То же, что и CL, но только для записи. С единичным Command Rate никак не влияет на производительность. В противном случае сокращение слегка увеличивает быстродействие системы (не более чем на 10%). Слишком малая величина приведет к нестабильной работе системы.

    tRWT
    Минимальный промежуток времени между завершением операции записи и началом операции чтения одной и той же DRAM-страницы. Лучше установить на максимум, для повышения стабильности.

    tREF
    Промежуток между двумя циклами регенерации памяти. Одновременно с изменением tRP и tRAS регенерации рекомендуется учащать, но если слишком привысить, то пропадет весь выигрыш от разгона.

    tRFC
    Продолжительность регенерации в тактах. Лучше поставить на максимум. Это повысит стабильность.

    tRC
    Величина рабочего цикла RAS. Должна быть равна сумме tRAS и tRP, иначе нормальная работоспособность системы не гарантирована.

    Результаты (2x1024Мб, Corsair DDR2 PC-8500):
    До (напряжение 1.8 В)
    -Тактовая частота - 533Мгц
    -Тест в Everest (Чтение / Запись) - 8660/3250Мб/с

    После (напряжение 2.2 В)
    -Тактовая частота - 800Мгц
    -Тест в Everest (Чтение / Запись) - 12360/4971Мб/с

    ---
    Удачного разгона! ;)
     
    #1 FeraS, 14 Oct 2007
    Last edited: 19 Oct 2007
    2 people like this.
  2. FeraS

    FeraS Elder - Старейшина

    Joined:
    19 Jan 2007
    Messages:
    555
    Likes Received:
    420
    Reputations:
    76
    Подправил кое что) Разгоняем, делимся результатами! ;)
     
  3. SVAROG

    SVAROG Elder - Старейшина

    Joined:
    13 Feb 2007
    Messages:
    424
    Likes Received:
    86
    Reputations:
    -1
    а где в БИОСе увеличить питающее напряжение?
     
  4. iv.

    iv. Elder - Старейшина

    Joined:
    21 Mar 2007
    Messages:
    1,183
    Likes Received:
    438
    Reputations:
    107
    А о производителе биоса мы должны сами догадаться?
    В твоем может и не быть этой опции.
     
  5. Kemit

    Kemit Banned

    Joined:
    14 Oct 2007
    Messages:
    38
    Likes Received:
    39
    Reputations:
    -33
    А я ваще когда первый раз розганял свою видеокарту спалил ее нах, мне не жалко канешн было nVidia джифорс фх4 5200))) но это мне был урок я терь не занимаюсь таким.
     
  6. zindi

    zindi Elder - Старейшина

    Joined:
    11 Apr 2007
    Messages:
    74
    Likes Received:
    17
    Reputations:
    0
    хм..нужно ещо учитывать что не каждую память ты погонеш ето раз и во вторых смысла етого делать нет.Щас и так почти все железе идет оверклок(тобиж на мах возможностя) и его ещо дальше розганять ето бред.
    P.s мое имхо.